IRLHS6342TRPBF
MOSFET N-CH 30V 8.7A 2X2 PQFN
Číslo dílu
IRLHS6342TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
6-PQFN (2x2)
Ztráta energie (max.)
2.1W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.7A (Ta), 19A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
15.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 10µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1019pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20242 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLHS6342TRPBF
IRLHS6342TRPBF Elektronické komponenty
IRLHS6342TRPBF Odbyt
IRLHS6342TRPBF Dodavatel
IRLHS6342TRPBF Distributor
IRLHS6342TRPBF Datová tabulka
IRLHS6342TRPBF Fotky
IRLHS6342TRPBF Cena
IRLHS6342TRPBF Nabídka
IRLHS6342TRPBF Nejnižší cena
IRLHS6342TRPBF Vyhledávání
IRLHS6342TRPBF Nákup
IRLHS6342TRPBF Chip