Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLBD59N04ETRLP
MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5
Číslo dílu
IRLBD59N04ETRLP
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263-5
Ztráta energie (max.)
130W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
18 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2190pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20139 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLBD59N04ETRLP
IRLBD59N04ETRLP Elektronické komponenty
IRLBD59N04ETRLP Odbyt
IRLBD59N04ETRLP Dodavatel
IRLBD59N04ETRLP Distributor
IRLBD59N04ETRLP Datová tabulka
IRLBD59N04ETRLP Fotky
IRLBD59N04ETRLP Cena
IRLBD59N04ETRLP Nabídka
IRLBD59N04ETRLP Nejnižší cena
IRLBD59N04ETRLP Vyhledávání
IRLBD59N04ETRLP Nákup
IRLBD59N04ETRLP Chip