Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRL8114PBF
MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
Číslo dílu
IRL8114PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
115W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2660pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16192 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRL8114PBF
IRL8114PBF Elektronické komponenty
IRL8114PBF Odbyt
IRL8114PBF Dodavatel
IRL8114PBF Distributor
IRL8114PBF Datová tabulka
IRL8114PBF Fotky
IRL8114PBF Cena
IRL8114PBF Nabídka
IRL8114PBF Nejnižší cena
IRL8114PBF Vyhledávání
IRL8114PBF Nákup
IRL8114PBF Chip