IRL7833STRLPBF
MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
Číslo dílu
IRL7833STRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.8 mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
47nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4170pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39100 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRL7833STRLPBF
IRL7833STRLPBF Elektronické komponenty
IRL7833STRLPBF Odbyt
IRL7833STRLPBF Dodavatel
IRL7833STRLPBF Distributor
IRL7833STRLPBF Datová tabulka
IRL7833STRLPBF Fotky
IRL7833STRLPBF Cena
IRL7833STRLPBF Nabídka
IRL7833STRLPBF Nejnižší cena
IRL7833STRLPBF Vyhledávání
IRL7833STRLPBF Nákup
IRL7833STRLPBF Chip