Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRL6342PBF
MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC
Číslo dílu
IRL6342PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.9A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
14.6 mOhm @ 9.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 10µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1025pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25267 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRL6342PBF
IRL6342PBF Elektronické komponenty
IRL6342PBF Odbyt
IRL6342PBF Dodavatel
IRL6342PBF Distributor
IRL6342PBF Datová tabulka
IRL6342PBF Fotky
IRL6342PBF Cena
IRL6342PBF Nabídka
IRL6342PBF Nejnižší cena
IRL6342PBF Vyhledávání
IRL6342PBF Nákup
IRL6342PBF Chip