Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRL5602S
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
Číslo dílu
IRL5602S
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
75W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
42 mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1460pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48959 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRL5602S
IRL5602S Elektronické komponenty
IRL5602S Odbyt
IRL5602S Dodavatel
IRL5602S Distributor
IRL5602S Datová tabulka
IRL5602S Fotky
IRL5602S Cena
IRL5602S Nabídka
IRL5602S Nejnižší cena
IRL5602S Vyhledávání
IRL5602S Nákup
IRL5602S Chip