Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRL530NSTRRPBF
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Číslo dílu
IRL530NSTRRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 79W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33971 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRL530NSTRRPBF
IRL530NSTRRPBF Elektronické komponenty
IRL530NSTRRPBF Odbyt
IRL530NSTRRPBF Dodavatel
IRL530NSTRRPBF Distributor
IRL530NSTRRPBF Datová tabulka
IRL530NSTRRPBF Fotky
IRL530NSTRRPBF Cena
IRL530NSTRRPBF Nabídka
IRL530NSTRRPBF Nejnižší cena
IRL530NSTRRPBF Vyhledávání
IRL530NSTRRPBF Nákup
IRL530NSTRRPBF Chip