Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRL530NSTRLPBF

IRL530NSTRLPBF

MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Číslo dílu
IRL530NSTRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 79W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16460 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IRL530NSTRLPBF
IRL530NSTRLPBF Elektronické komponenty
IRL530NSTRLPBF Odbyt
IRL530NSTRLPBF Dodavatel
IRL530NSTRLPBF Distributor
IRL530NSTRLPBF Datová tabulka
IRL530NSTRLPBF Fotky
IRL530NSTRLPBF Cena
IRL530NSTRLPBF Nabídka
IRL530NSTRLPBF Nejnižší cena
IRL530NSTRLPBF Vyhledávání
IRL530NSTRLPBF Nákup
IRL530NSTRLPBF Chip