Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRL3502STRR
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Číslo dílu
IRL3502STRR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7 mOhm @ 64A, 7V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4700pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 7V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45531 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRL3502STRR
IRL3502STRR Elektronické komponenty
IRL3502STRR Odbyt
IRL3502STRR Dodavatel
IRL3502STRR Distributor
IRL3502STRR Datová tabulka
IRL3502STRR Fotky
IRL3502STRR Cena
IRL3502STRR Nabídka
IRL3502STRR Nejnižší cena
IRL3502STRR Vyhledávání
IRL3502STRR Nákup
IRL3502STRR Chip