Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRL3502SPBF
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Číslo dílu
IRL3502SPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7 mOhm @ 64A, 7V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4700pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 7V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25743 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRL3502SPBF
IRL3502SPBF Elektronické komponenty
IRL3502SPBF Odbyt
IRL3502SPBF Dodavatel
IRL3502SPBF Distributor
IRL3502SPBF Datová tabulka
IRL3502SPBF Fotky
IRL3502SPBF Cena
IRL3502SPBF Nabídka
IRL3502SPBF Nejnižší cena
IRL3502SPBF Vyhledávání
IRL3502SPBF Nákup
IRL3502SPBF Chip