Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRL3502S
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Číslo dílu
IRL3502S
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7 mOhm @ 64A, 7V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4700pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 7V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51233 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRL3502S
IRL3502S Elektronické komponenty
IRL3502S Odbyt
IRL3502S Dodavatel
IRL3502S Distributor
IRL3502S Datová tabulka
IRL3502S Fotky
IRL3502S Cena
IRL3502S Nabídka
IRL3502S Nejnižší cena
IRL3502S Vyhledávání
IRL3502S Nákup
IRL3502S Chip