Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRL3303LPBF
MOSFET N-CH 30V 38A TO-262
Číslo dílu
IRL3303LPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
26 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
870pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25644 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRL3303LPBF
IRL3303LPBF Elektronické komponenty
IRL3303LPBF Odbyt
IRL3303LPBF Dodavatel
IRL3303LPBF Distributor
IRL3303LPBF Datová tabulka
IRL3303LPBF Fotky
IRL3303LPBF Cena
IRL3303LPBF Nabídka
IRL3303LPBF Nejnižší cena
IRL3303LPBF Vyhledávání
IRL3303LPBF Nákup
IRL3303LPBF Chip