Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRL3303D1S
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Číslo dílu
IRL3303D1S
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
68W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
26 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
870pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42447 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRL3303D1S
IRL3303D1S Elektronické komponenty
IRL3303D1S Odbyt
IRL3303D1S Dodavatel
IRL3303D1S Distributor
IRL3303D1S Datová tabulka
IRL3303D1S Fotky
IRL3303D1S Cena
IRL3303D1S Nabídka
IRL3303D1S Nejnižší cena
IRL3303D1S Vyhledávání
IRL3303D1S Nákup
IRL3303D1S Chip