Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRL3302STRR

IRL3302STRR

MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
Číslo dílu
IRL3302STRR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
57W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
39A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
20 mOhm @ 23A, 7V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 7V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42147 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IRL3302STRR
IRL3302STRR Elektronické komponenty
IRL3302STRR Odbyt
IRL3302STRR Dodavatel
IRL3302STRR Distributor
IRL3302STRR Datová tabulka
IRL3302STRR Fotky
IRL3302STRR Cena
IRL3302STRR Nabídka
IRL3302STRR Nejnižší cena
IRL3302STRR Vyhledávání
IRL3302STRR Nákup
IRL3302STRR Chip