Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRL3103STRR
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Číslo dílu
IRL3103STRR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
94W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12 mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1650pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10777 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRL3103STRR
IRL3103STRR Elektronické komponenty
IRL3103STRR Odbyt
IRL3103STRR Dodavatel
IRL3103STRR Distributor
IRL3103STRR Datová tabulka
IRL3103STRR Fotky
IRL3103STRR Cena
IRL3103STRR Nabídka
IRL3103STRR Nejnižší cena
IRL3103STRR Vyhledávání
IRL3103STRR Nákup
IRL3103STRR Chip