Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRL2910STRRPBF
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Číslo dílu
IRL2910STRRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
26 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3700pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
VGS (max.)
-
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22837 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRL2910STRRPBF
IRL2910STRRPBF Elektronické komponenty
IRL2910STRRPBF Odbyt
IRL2910STRRPBF Dodavatel
IRL2910STRRPBF Distributor
IRL2910STRRPBF Datová tabulka
IRL2910STRRPBF Fotky
IRL2910STRRPBF Cena
IRL2910STRRPBF Nabídka
IRL2910STRRPBF Nejnižší cena
IRL2910STRRPBF Vyhledávání
IRL2910STRRPBF Nákup
IRL2910STRRPBF Chip