IRL2910STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Číslo dílu
IRL2910STRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
26 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3700pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25097 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRL2910STRLPBF
IRL2910STRLPBF Elektronické komponenty
IRL2910STRLPBF Odbyt
IRL2910STRLPBF Dodavatel
IRL2910STRLPBF Distributor
IRL2910STRLPBF Datová tabulka
IRL2910STRLPBF Fotky
IRL2910STRLPBF Cena
IRL2910STRLPBF Nabídka
IRL2910STRLPBF Nejnižší cena
IRL2910STRLPBF Vyhledávání
IRL2910STRLPBF Nákup
IRL2910STRLPBF Chip