Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRL2910PBF
MOSFET N-CH 100V 55A TO-220AB
Číslo dílu
IRL2910PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
26 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3700pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24335 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRL2910PBF
IRL2910PBF Elektronické komponenty
IRL2910PBF Odbyt
IRL2910PBF Dodavatel
IRL2910PBF Distributor
IRL2910PBF Datová tabulka
IRL2910PBF Fotky
IRL2910PBF Cena
IRL2910PBF Nabídka
IRL2910PBF Nejnižší cena
IRL2910PBF Vyhledávání
IRL2910PBF Nákup
IRL2910PBF Chip