Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFZ46NS
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Číslo dílu
IRFZ46NS
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 107W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
53A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
16.5 mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
72nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1696pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35493 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFZ46NS
IRFZ46NS Elektronické komponenty
IRFZ46NS Odbyt
IRFZ46NS Dodavatel
IRFZ46NS Distributor
IRFZ46NS Datová tabulka
IRFZ46NS Fotky
IRFZ46NS Cena
IRFZ46NS Nabídka
IRFZ46NS Nejnižší cena
IRFZ46NS Vyhledávání
IRFZ46NS Nákup
IRFZ46NS Chip