Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFZ34NSTRRPBF
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
Číslo dílu
IRFZ34NSTRRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
40 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12580 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFZ34NSTRRPBF
IRFZ34NSTRRPBF Elektronické komponenty
IRFZ34NSTRRPBF Odbyt
IRFZ34NSTRRPBF Dodavatel
IRFZ34NSTRRPBF Distributor
IRFZ34NSTRRPBF Datová tabulka
IRFZ34NSTRRPBF Fotky
IRFZ34NSTRRPBF Cena
IRFZ34NSTRRPBF Nabídka
IRFZ34NSTRRPBF Nejnižší cena
IRFZ34NSTRRPBF Vyhledávání
IRFZ34NSTRRPBF Nákup
IRFZ34NSTRRPBF Chip