Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFZ34NSTRR
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
Číslo dílu
IRFZ34NSTRR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
40 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43978 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFZ34NSTRR
IRFZ34NSTRR Elektronické komponenty
IRFZ34NSTRR Odbyt
IRFZ34NSTRR Dodavatel
IRFZ34NSTRR Distributor
IRFZ34NSTRR Datová tabulka
IRFZ34NSTRR Fotky
IRFZ34NSTRR Cena
IRFZ34NSTRR Nabídka
IRFZ34NSTRR Nejnižší cena
IRFZ34NSTRR Vyhledávání
IRFZ34NSTRR Nákup
IRFZ34NSTRR Chip