Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFZ34NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
Číslo dílu
IRFZ34NSTRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
40 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35129 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFZ34NSTRLPBF
IRFZ34NSTRLPBF Elektronické komponenty
IRFZ34NSTRLPBF Odbyt
IRFZ34NSTRLPBF Dodavatel
IRFZ34NSTRLPBF Distributor
IRFZ34NSTRLPBF Datová tabulka
IRFZ34NSTRLPBF Fotky
IRFZ34NSTRLPBF Cena
IRFZ34NSTRLPBF Nabídka
IRFZ34NSTRLPBF Nejnižší cena
IRFZ34NSTRLPBF Vyhledávání
IRFZ34NSTRLPBF Nákup
IRFZ34NSTRLPBF Chip