Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFZ34NSPBF
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
Číslo dílu
IRFZ34NSPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
40 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26304 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFZ34NSPBF
IRFZ34NSPBF Elektronické komponenty
IRFZ34NSPBF Odbyt
IRFZ34NSPBF Dodavatel
IRFZ34NSPBF Distributor
IRFZ34NSPBF Datová tabulka
IRFZ34NSPBF Fotky
IRFZ34NSPBF Cena
IRFZ34NSPBF Nabídka
IRFZ34NSPBF Nejnižší cena
IRFZ34NSPBF Vyhledávání
IRFZ34NSPBF Nákup
IRFZ34NSPBF Chip