Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFZ34NLPBF
MOSFET N-CH 55V 29A TO-262
Číslo dílu
IRFZ34NLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
40 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49112 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFZ34NLPBF
IRFZ34NLPBF Elektronické komponenty
IRFZ34NLPBF Odbyt
IRFZ34NLPBF Dodavatel
IRFZ34NLPBF Distributor
IRFZ34NLPBF Datová tabulka
IRFZ34NLPBF Fotky
IRFZ34NLPBF Cena
IRFZ34NLPBF Nabídka
IRFZ34NLPBF Nejnižší cena
IRFZ34NLPBF Vyhledávání
IRFZ34NLPBF Nákup
IRFZ34NLPBF Chip