Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFZ34EPBF
MOSFET N-CH 60V 28A TO-220AB
Číslo dílu
IRFZ34EPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
68W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
42 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
680pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23213 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFZ34EPBF
IRFZ34EPBF Elektronické komponenty
IRFZ34EPBF Odbyt
IRFZ34EPBF Dodavatel
IRFZ34EPBF Distributor
IRFZ34EPBF Datová tabulka
IRFZ34EPBF Fotky
IRFZ34EPBF Cena
IRFZ34EPBF Nabídka
IRFZ34EPBF Nejnižší cena
IRFZ34EPBF Vyhledávání
IRFZ34EPBF Nákup
IRFZ34EPBF Chip