Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFU5305PBF
MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK
Číslo dílu
IRFU5305PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
IPAK (TO-251)
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
65 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
63nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42573 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFU5305PBF
IRFU5305PBF Elektronické komponenty
IRFU5305PBF Odbyt
IRFU5305PBF Dodavatel
IRFU5305PBF Distributor
IRFU5305PBF Datová tabulka
IRFU5305PBF Fotky
IRFU5305PBF Cena
IRFU5305PBF Nabídka
IRFU5305PBF Nejnižší cena
IRFU5305PBF Vyhledávání
IRFU5305PBF Nákup
IRFU5305PBF Chip