Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFU4510PBF
MOSFET N CH 100V 56A IPAK
Číslo dílu
IRFU4510PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
IPAK (TO-251)
Ztráta energie (max.)
143W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13.9 mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
81nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3031pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45618 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFU4510PBF
IRFU4510PBF Elektronické komponenty
IRFU4510PBF Odbyt
IRFU4510PBF Dodavatel
IRFU4510PBF Distributor
IRFU4510PBF Datová tabulka
IRFU4510PBF Fotky
IRFU4510PBF Cena
IRFU4510PBF Nabídka
IRFU4510PBF Nejnižší cena
IRFU4510PBF Vyhledávání
IRFU4510PBF Nákup
IRFU4510PBF Chip