Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFU4105PBF
MOSFET N-CH 55V 27A I-PAK
Číslo dílu
IRFU4105PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
IPAK (TO-251)
Ztráta energie (max.)
68W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
45 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43093 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFU4105PBF
IRFU4105PBF Elektronické komponenty
IRFU4105PBF Odbyt
IRFU4105PBF Dodavatel
IRFU4105PBF Distributor
IRFU4105PBF Datová tabulka
IRFU4105PBF Fotky
IRFU4105PBF Cena
IRFU4105PBF Nabídka
IRFU4105PBF Nejnižší cena
IRFU4105PBF Vyhledávání
IRFU4105PBF Nákup
IRFU4105PBF Chip