Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFU3911PBF
MOSFET N-CH 100V 14A I-PAK
Číslo dílu
IRFU3911PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
IPAK (TO-251)
Ztráta energie (max.)
56W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
115 mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
740pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36461 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFU3911PBF
IRFU3911PBF Elektronické komponenty
IRFU3911PBF Odbyt
IRFU3911PBF Dodavatel
IRFU3911PBF Distributor
IRFU3911PBF Datová tabulka
IRFU3911PBF Fotky
IRFU3911PBF Cena
IRFU3911PBF Nabídka
IRFU3911PBF Nejnižší cena
IRFU3911PBF Vyhledávání
IRFU3911PBF Nákup
IRFU3911PBF Chip