Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFU3410PBF
MOSFET N-CH 100V 31A I-PAK
Číslo dílu
IRFU3410PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
IPAK (TO-251)
Ztráta energie (max.)
3W (Ta), 110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
39 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1690pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10989 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFU3410PBF
IRFU3410PBF Elektronické komponenty
IRFU3410PBF Odbyt
IRFU3410PBF Dodavatel
IRFU3410PBF Distributor
IRFU3410PBF Datová tabulka
IRFU3410PBF Fotky
IRFU3410PBF Cena
IRFU3410PBF Nabídka
IRFU3410PBF Nejnižší cena
IRFU3410PBF Vyhledávání
IRFU3410PBF Nákup
IRFU3410PBF Chip