Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFU220N
MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK
Číslo dílu
IRFU220N
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
IPAK (TO-251)
Ztráta energie (max.)
43W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
600 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15104 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFU220N
IRFU220N Elektronické komponenty
IRFU220N Odbyt
IRFU220N Dodavatel
IRFU220N Distributor
IRFU220N Datová tabulka
IRFU220N Fotky
IRFU220N Cena
IRFU220N Nabídka
IRFU220N Nejnižší cena
IRFU220N Vyhledávání
IRFU220N Nákup
IRFU220N Chip