Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFU13N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 13A I-PAK
Číslo dílu
IRFU13N20DPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
IPAK (TO-251)
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
235 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
830pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31269 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFU13N20DPBF
IRFU13N20DPBF Elektronické komponenty
IRFU13N20DPBF Odbyt
IRFU13N20DPBF Dodavatel
IRFU13N20DPBF Distributor
IRFU13N20DPBF Datová tabulka
IRFU13N20DPBF Fotky
IRFU13N20DPBF Cena
IRFU13N20DPBF Nabídka
IRFU13N20DPBF Nejnižší cena
IRFU13N20DPBF Vyhledávání
IRFU13N20DPBF Nákup
IRFU13N20DPBF Chip