Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFU1010Z
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
Číslo dílu
IRFU1010Z
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
IPAK (TO-251)
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7.5 mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2840pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15091 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFU1010Z
IRFU1010Z Elektronické komponenty
IRFU1010Z Odbyt
IRFU1010Z Dodavatel
IRFU1010Z Distributor
IRFU1010Z Datová tabulka
IRFU1010Z Fotky
IRFU1010Z Cena
IRFU1010Z Nabídka
IRFU1010Z Nejnižší cena
IRFU1010Z Vyhledávání
IRFU1010Z Nákup
IRFU1010Z Chip