Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFSL7530PBF
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Číslo dílu
IRFSL7530PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®, StrongIRFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
375W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
411nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
13703pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54722 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFSL7530PBF
IRFSL7530PBF Elektronické komponenty
IRFSL7530PBF Odbyt
IRFSL7530PBF Dodavatel
IRFSL7530PBF Distributor
IRFSL7530PBF Datová tabulka
IRFSL7530PBF Fotky
IRFSL7530PBF Cena
IRFSL7530PBF Nabídka
IRFSL7530PBF Nejnižší cena
IRFSL7530PBF Vyhledávání
IRFSL7530PBF Nákup
IRFSL7530PBF Chip