Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFSL7434PBF
MOSFET N-CH 40V 195A TO262
Číslo dílu
IRFSL7434PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®, StrongIRFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
294W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
324nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10820pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6463 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFSL7434PBF
IRFSL7434PBF Elektronické komponenty
IRFSL7434PBF Odbyt
IRFSL7434PBF Dodavatel
IRFSL7434PBF Distributor
IRFSL7434PBF Datová tabulka
IRFSL7434PBF Fotky
IRFSL7434PBF Cena
IRFSL7434PBF Nabídka
IRFSL7434PBF Nejnižší cena
IRFSL7434PBF Vyhledávání
IRFSL7434PBF Nákup
IRFSL7434PBF Chip