Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFSL5620PBF
MOSFET N-CH 200V 24A TO262
Číslo dílu
IRFSL5620PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
144W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
77.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1710pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49139 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFSL5620PBF
IRFSL5620PBF Elektronické komponenty
IRFSL5620PBF Odbyt
IRFSL5620PBF Dodavatel
IRFSL5620PBF Distributor
IRFSL5620PBF Datová tabulka
IRFSL5620PBF Fotky
IRFSL5620PBF Cena
IRFSL5620PBF Nabídka
IRFSL5620PBF Nejnižší cena
IRFSL5620PBF Vyhledávání
IRFSL5620PBF Nákup
IRFSL5620PBF Chip