Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFSL5615PBF
MOSFET N-CH 150V 33A TO-262
Číslo dílu
IRFSL5615PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
144W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
42 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1750pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32051 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFSL5615PBF
IRFSL5615PBF Elektronické komponenty
IRFSL5615PBF Odbyt
IRFSL5615PBF Dodavatel
IRFSL5615PBF Distributor
IRFSL5615PBF Datová tabulka
IRFSL5615PBF Fotky
IRFSL5615PBF Cena
IRFSL5615PBF Nabídka
IRFSL5615PBF Nejnižší cena
IRFSL5615PBF Vyhledávání
IRFSL5615PBF Nákup
IRFSL5615PBF Chip