Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFSL4710PBF
MOSFET N-CH 100V 75A TO-262
Číslo dílu
IRFSL4710PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
14 mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6160pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25306 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFSL4710PBF
IRFSL4710PBF Elektronické komponenty
IRFSL4710PBF Odbyt
IRFSL4710PBF Dodavatel
IRFSL4710PBF Distributor
IRFSL4710PBF Datová tabulka
IRFSL4710PBF Fotky
IRFSL4710PBF Cena
IRFSL4710PBF Nabídka
IRFSL4710PBF Nejnižší cena
IRFSL4710PBF Vyhledávání
IRFSL4710PBF Nákup
IRFSL4710PBF Chip