Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFSL4510PBF
MOSFET N-CH 100V 61A TO262
Číslo dílu
IRFSL4510PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
61A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13.9 mOhm @ 37A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
87nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3180pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45517 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFSL4510PBF
IRFSL4510PBF Elektronické komponenty
IRFSL4510PBF Odbyt
IRFSL4510PBF Dodavatel
IRFSL4510PBF Distributor
IRFSL4510PBF Datová tabulka
IRFSL4510PBF Fotky
IRFSL4510PBF Cena
IRFSL4510PBF Nabídka
IRFSL4510PBF Nejnižší cena
IRFSL4510PBF Vyhledávání
IRFSL4510PBF Nákup
IRFSL4510PBF Chip