Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFSL4410ZPBF
MOSFET N-CH 100V 97A TO-262
Číslo dílu
IRFSL4410ZPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
230W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
97A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4820pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27180 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFSL4410ZPBF
IRFSL4410ZPBF Elektronické komponenty
IRFSL4410ZPBF Odbyt
IRFSL4410ZPBF Dodavatel
IRFSL4410ZPBF Distributor
IRFSL4410ZPBF Datová tabulka
IRFSL4410ZPBF Fotky
IRFSL4410ZPBF Cena
IRFSL4410ZPBF Nabídka
IRFSL4410ZPBF Nejnižší cena
IRFSL4410ZPBF Vyhledávání
IRFSL4410ZPBF Nákup
IRFSL4410ZPBF Chip