Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFSL4127PBF
MOSFET N-CH 200V 72A TO-262
Číslo dílu
IRFSL4127PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
375W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
72A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
22 mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5380pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
VGS (max.)
-
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51140 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFSL4127PBF
IRFSL4127PBF Elektronické komponenty
IRFSL4127PBF Odbyt
IRFSL4127PBF Dodavatel
IRFSL4127PBF Distributor
IRFSL4127PBF Datová tabulka
IRFSL4127PBF Fotky
IRFSL4127PBF Cena
IRFSL4127PBF Nabídka
IRFSL4127PBF Nejnižší cena
IRFSL4127PBF Vyhledávání
IRFSL4127PBF Nákup
IRFSL4127PBF Chip