Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFSL4010PBF
MOSFET N-CH 100V 180A TO-262
Číslo dílu
IRFSL4010PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
375W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.7 mOhm @ 106A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
215nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9575pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39119 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFSL4010PBF
IRFSL4010PBF Elektronické komponenty
IRFSL4010PBF Odbyt
IRFSL4010PBF Dodavatel
IRFSL4010PBF Distributor
IRFSL4010PBF Datová tabulka
IRFSL4010PBF Fotky
IRFSL4010PBF Cena
IRFSL4010PBF Nabídka
IRFSL4010PBF Nejnižší cena
IRFSL4010PBF Vyhledávání
IRFSL4010PBF Nákup
IRFSL4010PBF Chip