Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFSL38N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 43A TO-262-3
Číslo dílu
IRFSL38N20DPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
43A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
54 mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
91nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
VGS (max.)
-
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44131 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFSL38N20DPBF
IRFSL38N20DPBF Elektronické komponenty
IRFSL38N20DPBF Odbyt
IRFSL38N20DPBF Dodavatel
IRFSL38N20DPBF Distributor
IRFSL38N20DPBF Datová tabulka
IRFSL38N20DPBF Fotky
IRFSL38N20DPBF Cena
IRFSL38N20DPBF Nabídka
IRFSL38N20DPBF Nejnižší cena
IRFSL38N20DPBF Vyhledávání
IRFSL38N20DPBF Nákup
IRFSL38N20DPBF Chip