Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFSL3607PBF
MOSFET N-CH 75V 80A TO-262
Číslo dílu
IRFSL3607PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
84nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3070pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22714 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFSL3607PBF
IRFSL3607PBF Elektronické komponenty
IRFSL3607PBF Odbyt
IRFSL3607PBF Dodavatel
IRFSL3607PBF Distributor
IRFSL3607PBF Datová tabulka
IRFSL3607PBF Fotky
IRFSL3607PBF Cena
IRFSL3607PBF Nabídka
IRFSL3607PBF Nejnižší cena
IRFSL3607PBF Vyhledávání
IRFSL3607PBF Nákup
IRFSL3607PBF Chip