Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFSL3307ZPBF
MOSFET N-CH 75V 120A TO-262
Číslo dílu
IRFSL3307ZPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
230W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.8 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4750pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39094 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFSL3307ZPBF
IRFSL3307ZPBF Elektronické komponenty
IRFSL3307ZPBF Odbyt
IRFSL3307ZPBF Dodavatel
IRFSL3307ZPBF Distributor
IRFSL3307ZPBF Datová tabulka
IRFSL3307ZPBF Fotky
IRFSL3307ZPBF Cena
IRFSL3307ZPBF Nabídka
IRFSL3307ZPBF Nejnižší cena
IRFSL3307ZPBF Vyhledávání
IRFSL3307ZPBF Nákup
IRFSL3307ZPBF Chip