Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFSL3306PBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO-262
Číslo dílu
IRFSL3306PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
230W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.2 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4520pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23619 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFSL3306PBF
IRFSL3306PBF Elektronické komponenty
IRFSL3306PBF Odbyt
IRFSL3306PBF Dodavatel
IRFSL3306PBF Distributor
IRFSL3306PBF Datová tabulka
IRFSL3306PBF Fotky
IRFSL3306PBF Cena
IRFSL3306PBF Nabídka
IRFSL3306PBF Nejnižší cena
IRFSL3306PBF Vyhledávání
IRFSL3306PBF Nákup
IRFSL3306PBF Chip