Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFSL3207ZPBF
MOSFET N-CH 75V 120A TO-262
Číslo dílu
IRFSL3207ZPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.1 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6920pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44931 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFSL3207ZPBF
IRFSL3207ZPBF Elektronické komponenty
IRFSL3207ZPBF Odbyt
IRFSL3207ZPBF Dodavatel
IRFSL3207ZPBF Distributor
IRFSL3207ZPBF Datová tabulka
IRFSL3207ZPBF Fotky
IRFSL3207ZPBF Cena
IRFSL3207ZPBF Nabídka
IRFSL3207ZPBF Nejnižší cena
IRFSL3207ZPBF Vyhledávání
IRFSL3207ZPBF Nákup
IRFSL3207ZPBF Chip