Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFSL3206PBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO-262
Číslo dílu
IRFSL3206PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6540pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44723 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFSL3206PBF
IRFSL3206PBF Elektronické komponenty
IRFSL3206PBF Odbyt
IRFSL3206PBF Dodavatel
IRFSL3206PBF Distributor
IRFSL3206PBF Datová tabulka
IRFSL3206PBF Fotky
IRFSL3206PBF Cena
IRFSL3206PBF Nabídka
IRFSL3206PBF Nejnižší cena
IRFSL3206PBF Vyhledávání
IRFSL3206PBF Nákup
IRFSL3206PBF Chip