Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFSL31N20D
MOSFET N-CH 200V 31A TO-262
Číslo dílu
IRFSL31N20D
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
82 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2370pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28519 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFSL31N20D
IRFSL31N20D Elektronické komponenty
IRFSL31N20D Odbyt
IRFSL31N20D Dodavatel
IRFSL31N20D Distributor
IRFSL31N20D Datová tabulka
IRFSL31N20D Fotky
IRFSL31N20D Cena
IRFSL31N20D Nabídka
IRFSL31N20D Nejnižší cena
IRFSL31N20D Vyhledávání
IRFSL31N20D Nákup
IRFSL31N20D Chip