Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFSL3107PBF
MOSFET N-CH 75V 195A TO262
Číslo dílu
IRFSL3107PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
370W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3 mOhm @ 140A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
240nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9370pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35332 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFSL3107PBF
IRFSL3107PBF Elektronické komponenty
IRFSL3107PBF Odbyt
IRFSL3107PBF Dodavatel
IRFSL3107PBF Distributor
IRFSL3107PBF Datová tabulka
IRFSL3107PBF Fotky
IRFSL3107PBF Cena
IRFSL3107PBF Nabídka
IRFSL3107PBF Nejnižší cena
IRFSL3107PBF Vyhledávání
IRFSL3107PBF Nákup
IRFSL3107PBF Chip